STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7

Код товара RS: 214-960Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT070H120G3-7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

63mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

37nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

224W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Прямое напряжение (Vf)

3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Длина

15.25мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

63mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

37nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

224W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Прямое напряжение (Vf)

3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Длина

15.25мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Страна происхождения

China