STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin

Код товара RS: 215-238PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT055W65G3-4AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

58mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

32nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

210W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Максимальная рабочая температура

200°C

Стандарты/одобрения

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

58mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

32nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

210W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Максимальная рабочая температура

200°C

Стандарты/одобрения

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China