STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Код товара RS: 215-232PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT040H120G3AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

40A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

2.6V

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

54nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

AEC-Q101, RoHS

Длина

15.25мм

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

40A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

2.6V

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

54nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

AEC-Q101, RoHS

Длина

15.25мм

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China