STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SCT027W65G3-4AG

Код товара RS: 215-228Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT027W65G3-4AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

29mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

51nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

313W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-10 to 22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

3V

Максимальная рабочая температура

200°C

Стандарты/одобрения

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SCT027W65G3-4AG

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SCT027W65G3-4AG

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

29mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

51nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

313W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-10 to 22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

3V

Максимальная рабочая температура

200°C

Стандарты/одобрения

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China