STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG

Код товара RS: 215-071Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT025W120G3AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

56A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

73nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

388W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

15.6 mm

Длина

34.8мм

Материал каски/сварочной маски

5мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

56A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

73nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

388W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

15.6 mm

Длина

34.8мм

Материал каски/сварочной маски

5мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101