STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT025W120G3AG

Код товара RS: 215-073Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT025W120G3AG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

56 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

SCT

Тип корпуса

HIP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

P.O.A.

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT025W120G3AG
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT025W120G3AG

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

56 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

SCT

Тип корпуса

HIP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC