Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
N-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
56A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247-4
Серия
SCT
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
27mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
73nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
388W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
2.7V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.1 mm
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
25.27мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
N-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
56A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
Hip-247-4
Серия
SCT
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
27mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
73nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
388W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
2.7V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.1 mm
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
25.27мм
Страна происхождения
China
