STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

Код товара RS: 719-470Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT025W120G3-4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N-канальный

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

56A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Серия

SCT

Корпус

Hip-247-4

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

2.7V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

73nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

388W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

5.1 mm

Длина

15.9мм

Материал каски/сварочной маски

25.27мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

P.O.A.

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N-канальный

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

56A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Серия

SCT

Корпус

Hip-247-4

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

2.7V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

73nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

388W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

5.1 mm

Длина

15.9мм

Материал каски/сварочной маски

25.27мм

Страна происхождения

China