STMicroelectronics SCT N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT018W65G3AG

Код товара RS: 719-468Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT018W65G3AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

55A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

HIP-247-3

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

398W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

76nC

Прямое напряжение (Vf)

2.6V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT018W65G3AG

P.O.A.

STMicroelectronics SCT N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT018W65G3AG

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

55A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

HIP-247-3

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

398W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

76nC

Прямое напряжение (Vf)

2.6V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China