STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Код товара RS: 215-226PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT018H65G3AG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

55A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

79.4nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

385W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

75°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

55A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

27mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

79.4nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

385W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

75°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China