STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Код товара RS: 215-225Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT018H65G3AG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCT

Тип корпуса

H2PAK-7

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

7

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCT

Тип корпуса

H2PAK-7

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

7

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China