Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
129 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Серия
SCT
Тип корпуса
HiP247-4
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT015W120G3-4AG
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT015W120G3-4AG
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
129 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Серия
SCT
Тип корпуса
HiP247-4
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
