STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT012W90G3AG
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
N-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
110A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
HIP-247-3
Серия
SCT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
12mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
138nC
Прямое напряжение (Vf)
2.8V
Максимальная рабочая температура
200°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
N-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
110A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
HIP-247-3
Серия
SCT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
12mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
138nC
Прямое напряжение (Vf)
2.8V
Максимальная рабочая температура
200°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China