STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

Код товара RS: 215-220Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT012H90G3AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

900V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

12mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

625W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

138nC

Прямое напряжение (Vf)

2.8V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

15.25мм

Стандарты/одобрения

RoHS, AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

900V

Корпус

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

12mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

625W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

138nC

Прямое напряжение (Vf)

2.8V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

15.25мм

Стандарты/одобрения

RoHS, AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101