Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Серия
SCT
Тип корпуса
H²PAK-7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Серия
SCT
Тип корпуса
H²PAK-7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
