STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-89 PD85004

Код товара RS: 880-5355Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: PD85004
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-0,5 В, +15 В

Ширина

2.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.44мм

Типичный коэффициент усиления по мощности

17 дБ

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 5 028,75

тг 1 005,75 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-89 PD85004
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 5 028,75
10тг 10 057,50
15тг 15 086,25
20тг 20 115,00
25тг 25 143,75
30тг 30 172,50
35тг 35 201,25
40тг 40 230,00
45тг 45 258,75
50тг 44 476,50
55тг 48 924,15
60тг 53 371,80
65тг 57 819,45
70тг 62 267,10
75тг 66 714,75

тг 5 028,75

тг 1 005,75 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-89 PD85004

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 5 028,75
10тг 10 057,50
15тг 15 086,25
20тг 20 115,00
25тг 25 143,75
30тг 30 172,50
35тг 35 201,25
40тг 40 230,00
45тг 45 258,75
50тг 44 476,50
55тг 48 924,15
60тг 53 371,80
65тг 57 819,45
70тг 62 267,10
75тг 66 714,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 1 005,75тг 5 028,75
50 - 495тг 889,53тг 4 447,65
500 - 995тг 652,62тг 3 263,10
1000 - 2495тг 607,92тг 3 039,60
2500+тг 563,22тг 2 816,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-0,5 В, +15 В

Ширина

2.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.44мм

Типичный коэффициент усиления по мощности

17 дБ

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics