N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001

Name: N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001
Brand: STMicroelectronics
SKU: 9172738P

Код товара RS: 917-2738PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: PD84001

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

18 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-0,5 В, +15 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Ширина

2.6мм

Высота

1.6мм

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

18 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-0,5 В, +15 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Ширина

2.6мм

Высота

1.6мм

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.