STMicroelectronics Single LdmoST Type N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PowerSO PD55015-E

Код товара RS: 829-0627PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: PD55015-E
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Рабочая частота

1 GHz

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Формат выходного гнезда

15W

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

40V

Корпус

PowerSO

Серия

LdmoST

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

10

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

65°C

Максимальная рабочая температура

165°C

Конфигурация транзистора

Одиночный

Длина

9.6мм

Стандарты/одобрения

JEDEC Approved

Ширина

9.5 mm

Материал каски/сварочной маски

3.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Типичный коэффициент усиления по мощности

14dB

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Single LdmoST Type N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics Single LdmoST Type N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PowerSO PD55015-E

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Рабочая частота

1 GHz

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Формат выходного гнезда

15W

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

40V

Корпус

PowerSO

Серия

LdmoST

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

10

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

65°C

Максимальная рабочая температура

165°C

Конфигурация транзистора

Одиночный

Длина

9.6мм

Стандарты/одобрения

JEDEC Approved

Ширина

9.5 mm

Материал каски/сварочной маски

3.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Типичный коэффициент усиления по мощности

14dB

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics