STMicroelectronics PD55015-E MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Формат выходного гнезда
15W
Корпус
PowerSO
Серия
LdmoST
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
10
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальная рабочая температура
165°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
9.6мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Стандарты/одобрения
JEDEC Approved
Типичный коэффициент усиления по мощности
14dB
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Формат выходного гнезда
15W
Корпус
PowerSO
Серия
LdmoST
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
10
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальная рабочая температура
165°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
9.6мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Стандарты/одобрения
JEDEC Approved
Типичный коэффициент усиления по мощности
14dB
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.