STMicroelectronics Single PD55003L-E Type N-Channel RF MOSFET, 2.5 A, 40 V Enhancement, 14-Pin PowerFLAT
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
ВЧ-транзистор MOSFET
Рабочая частота
500 MHz
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
PowerFLAT
Серия
PD55003L-E
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
14
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
150°C
Максимальная рабочая температура
-65°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Ширина
5 mm
Материал каски/сварочной маски
0.88мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Типичный коэффициент усиления по мощности
19dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
ВЧ-транзистор MOSFET
Рабочая частота
500 MHz
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
PowerFLAT
Серия
PD55003L-E
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
14
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
150°C
Максимальная рабочая температура
-65°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Ширина
5 mm
Материал каски/сварочной маски
0.88мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Типичный коэффициент усиления по мощности
19dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.