STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 100 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 686-7931PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJD31CT4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

15W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальная частота перехода (ft)

250MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MJD31C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 100 V, 3-Pin DPAK
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 100 V, 3-Pin DPAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

15W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальная частота перехода (ft)

250MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MJD31C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.