N-Channel MOSFET, 9 A, 80 V, 3-Pin M250 STMicroelectronics LET9045F

Name: N-Channel MOSFET, 9 A, 80 V, 3-Pin M250 STMicroelectronics LET9045F
Brand: STMicroelectronics
SKU: 1781387

Код товара RS: 178-1387Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: LET9045F

View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

M250

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

108 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-0,5 В, +15 В

Ширина

6.09мм

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

9.91мм

Высота

3.94мм

Типичный коэффициент усиления по мощности

17,7 дБ

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 9 A, 80 V, 3-Pin M250 STMicroelectronics LET9045F

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 9 A, 80 V, 3-Pin M250 STMicroelectronics LET9045F

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

M250

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

108 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-0,5 В, +15 В

Ширина

6.09мм

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

9.91мм

Высота

3.94мм

Типичный коэффициент усиления по мощности

17,7 дБ

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.