Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Минимальное пробивное напряжение
14.5 V, 8.5 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-882
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
30W
Максимальный пиковый импульсный ток
1.3A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.45мм
Максимальный обратный ток утечки
50нА
Ширина
0.65мм
Испытательный ток
1mA
Длина
1.05мм
Высота
0.45мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Минимальное пробивное напряжение
14.5 V, 8.5 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-882
Максимальное обратное напряжение стабилизации
3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
30W
Максимальный пиковый импульсный ток
1.3A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.45мм
Максимальный обратный ток утечки
50нА
Ширина
0.65мм
Испытательный ток
1mA
Длина
1.05мм
Высота
0.45мм