Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsКонфигурация диода
Расстановка
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
6.9V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
6.3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
1.1kW
Напряжение ограничения (VC)
13.2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
80A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.55мм
Длина
1.7мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.1 mm
Максимальный обратный ток утечки
200nA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsКонфигурация диода
Расстановка
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
6.9V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
6.3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
1.1kW
Напряжение ограничения (VC)
13.2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
80A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.55мм
Длина
1.7мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.1 mm
Максимальный обратный ток утечки
200nA
Автомобильный стандарт
Нет