Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Расстановка
Тип продукции
TVS диод
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
23.3V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
22V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
1.4kW
Напряжение ограничения (VC)
41V
Защита от ЭСР
Да
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
35A
Максимальная рабочая температура
150°C
Количество элементов на ИС
1
Материал каски/сварочной маски
0.55мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1 mm
Длина
1.6мм
Максимальный обратный ток утечки
200nA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Расстановка
Тип продукции
TVS диод
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
23.3V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
22V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
1.4kW
Напряжение ограничения (VC)
41V
Защита от ЭСР
Да
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
35A
Максимальная рабочая температура
150°C
Количество элементов на ИС
1
Материал каски/сварочной маски
0.55мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1 mm
Длина
1.6мм
Максимальный обратный ток утечки
200nA
Автомобильный стандарт
Нет