Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsКонфигурация диода
Одиночный
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
36.6V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
R-6
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
33V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
5kW
Минимальная рабочая температура
-65°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
789A
Напряжение ограничения (VC)
76V
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
9.1мм
Диаметр
9.1 mm
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.1 mm
Серия
BZW50
Материал каски/сварочной маски
9.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Лента )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Лента )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsКонфигурация диода
Одиночный
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
36.6V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
R-6
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
33V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
5kW
Минимальная рабочая температура
-65°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
789A
Напряжение ограничения (VC)
76V
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
9.1мм
Диаметр
9.1 mm
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.1 mm
Серия
BZW50
Материал каски/сварочной маски
9.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Информация о товаре