STMicroelectronics Transistor, 5 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 810-7376Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUL38D
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

5A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

800V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

80W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

12

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

28.9мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

BUL38D

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 5 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 5 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 281,61тг 2 816,10
100 - 240тг 223,50тг 2 235,00
250 - 490тг 205,62тг 2 056,20
500 - 990тг 174,33тг 1 743,30
1000+тг 151,98тг 1 519,80
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

5A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

800V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

80W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

12

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

28.9мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

BUL38D

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать