STMicroelectronics BUL216 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
9 W
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1600 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
тг 594,51
тг 594,51 Each (ex VAT)
1
тг 594,51
тг 594,51 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
9 W
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1600 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.