STMicroelectronics BDW93CFP Пара Дарлингтона

Код товара RS: 793-1318PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BDW93CFP
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

12A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

100

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

33W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BDW93CFP

Максимальный запирающий ток коллектора

5mA

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics BDW93CFP Пара Дарлингтона
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics BDW93CFP Пара Дарлингтона

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

12A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

100

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

33W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BDW93CFP

Максимальный запирающий ток коллектора

5mA

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.