STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 485-9042Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BDW93C
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

12A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

100

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

80W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BDW93C

Максимальный запирающий ток коллектора

0.1mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 855,05

тг 371,01 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 1 855,05

тг 371,01 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 371,01тг 1 855,05
25 - 45тг 286,08тг 1 430,40
50 - 95тг 281,61тг 1 408,05
100 - 245тг 232,44тг 1 162,20
250+тг 227,97тг 1 139,85

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

12A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

100

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

80W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BDW93C

Максимальный запирающий ток коллектора

0.1mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.