STMicroelectronics 1 Darlington Transistor PNP, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
4A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
SOT-32
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
750
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
40W
Полярность транзистора
PnP
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.5V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
2.7 mm
Материал каски/сварочной маски
10.8мм
Длина
7.8мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BD682
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 408,05
тг 281,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 1 408,05
тг 281,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 281,61 | тг 1 408,05 |
| 25 - 45 | тг 219,03 | тг 1 095,15 |
| 50 - 95 | тг 210,09 | тг 1 050,45 |
| 100 - 245 | тг 138,57 | тг 692,85 |
| 250+ | тг 138,57 | тг 692,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
4A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
SOT-32
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
750
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
40W
Полярность транзистора
PnP
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.5V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
2.7 mm
Материал каски/сварочной маски
10.8мм
Длина
7.8мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BD682
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.