STMicroelectronics BD680 1 Darlington Transistor PNP, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 178-1409Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD680
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

750

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Полярность транзистора

PnP

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.8V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.7 mm

Материал каски/сварочной маски

10.8мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

JEDEC JESD97

Серия

BD6xxx

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BD680 1 Darlington Transistor PNP, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

P.O.A.

STMicroelectronics BD680 1 Darlington Transistor PNP, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

750

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Полярность транзистора

PnP

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.8V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.7 mm

Материал каски/сварочной маски

10.8мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

JEDEC JESD97

Серия

BD6xxx

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать