STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 486-0014Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD679A
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

750

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.7 mm

Материал каски/сварочной маски

10.8мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BD679A

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 363,35

тг 272,67 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

тг 1 363,35

тг 272,67 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 272,67тг 1 363,35
25 - 45тг 214,56тг 1 072,80
50 - 95тг 210,09тг 1 050,45
100 - 245тг 138,57тг 692,85
250+тг 134,10тг 670,50

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

750

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.7 mm

Материал каски/сварочной маски

10.8мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BD679A

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.