STMicroelectronics BD677 NPN Darlington Transistor, 4 A 60 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 313-6944PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD677
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Ширина

2.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

10.8мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

P.O.A.

STMicroelectronics BD677 NPN Darlington Transistor, 4 A 60 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics BD677 NPN Darlington Transistor, 4 A 60 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Ширина

2.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

10.8мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать