Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-80V
Корпус
SOT-32
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.25W
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
25
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
27.05mm
Материал каски/сварочной маски
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-80V
Корпус
SOT-32
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.25W
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
25
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
27.05mm
Материал каски/сварочной маски
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре