Starpower DM Series SiC N-Channel MOSFET, 118 A, 1200 V, 4-Pin Discrete DM170S12TDRB

Код товара RS: 427-760Бренд: StarpowerПарт-номер производителя: DM170S12TDRB
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Starpower

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

118 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

Discrete

Серия

DM Series

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Страна происхождения

China

P.O.A.

Starpower DM Series SiC N-Channel MOSFET, 118 A, 1200 V, 4-Pin Discrete DM170S12TDRB

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Starpower DM Series SiC N-Channel MOSFET, 118 A, 1200 V, 4-Pin Discrete DM170S12TDRB

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Starpower

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

118 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

Discrete

Серия

DM Series

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Страна происхождения

China