Sick WT12-2P410 Фотоэлектрический датчик
Техническая документация
Характеристики
Brand
SickВид датчика
Блок
Тип обнаружения
Background Suppression
Дальность обнаружения
20 → 250 мм
Тип выхода
PNP
Электрическое соединение
4-контактный разъем M12
Максимальное напряжение постоянного тока
30V
Источник света
Инфракрасный светодиод
Степень защиты
IP69K
Максимальная сила тока
100 mA
Время отклика
<=330 μs
Минимальная рабочая температура
-40°C
Материал корпуса
Цинк, полученный литьем под давлением
Максимальная рабочая температура
+60°C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
SickВид датчика
Блок
Тип обнаружения
Background Suppression
Дальность обнаружения
20 → 250 мм
Тип выхода
PNP
Электрическое соединение
4-контактный разъем M12
Максимальное напряжение постоянного тока
30V
Источник света
Инфракрасный светодиод
Степень защиты
IP69K
Максимальная сила тока
100 mA
Время отклика
<=330 μs
Минимальная рабочая температура
-40°C
Материал корпуса
Цинк, полученный литьем под давлением
Максимальная рабочая температура
+60°C