Техническая документация
Характеристики
Brand
SemtechКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Тип направления
Двунаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
114V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
102V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
600W
Напряжение ограничения (VC)
165V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
3.6A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
7
Максимальная рабочая температура
125°C
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4 mm
Максимальный обратный ток утечки
1μA
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemtechКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Тип направления
Двунаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
114V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
102V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
600W
Напряжение ограничения (VC)
165V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
3.6A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
7
Максимальная рабочая температура
125°C
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4 mm
Максимальный обратный ток утечки
1μA
Информация о товаре