Техническая документация
Характеристики
Brand
SemelabТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
65 V
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
17,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.08мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
4.06мм
Высота
2.18мм
Серия
TetraFET
Страна происхождения
United Kingdom
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemelabТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
65 V
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
17,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.08мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
4.06мм
Высота
2.18мм
Серия
TetraFET
Страна происхождения
United Kingdom
Информация о товаре