ROHM SCT2H12NZGC11 MOSFET

Код товара RS: 133-2860Бренд: ROHMПарт-номер производителя: SCT2H12NZGC11
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

1700 В

Серия

SCT2H12NZ

Тип корпуса

TO-3PFM

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +22 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 18 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

21мм

Прямое напряжение диода

4.3V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ROHM SCT2H12NZGC11 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

ROHM SCT2H12NZGC11 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

1700 В

Серия

SCT2H12NZ

Тип корпуса

TO-3PFM

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +22 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 18 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

21мм

Прямое напряжение диода

4.3V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor