ROHM RQ5E035BNTCL MOSFET

Код товара RS: 133-3300PБренд: ROHMПарт-номер производителя: RQ5E035BNTCL
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

RQ5E035BN

Тип корпуса

SC-96, SOT-346T, TSMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

56 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.8мм

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.95мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ROHM RQ5E035BNTCL MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ROHM RQ5E035BNTCL MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

RQ5E035BN

Тип корпуса

SC-96, SOT-346T, TSMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

56 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.8мм

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.95мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor