Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM QS8J4TR

Код товара RS: 178-5996Бренд: ROHMПарт-номер производителя: QS8J4TR
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TSMT

Серия

QS8J4

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

84 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

2.5мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В (канал N)

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.8мм

Страна происхождения

Japan

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM QS8J4TR

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM QS8J4TR
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TSMT

Серия

QS8J4

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

84 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

2.5мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В (канал N)

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.8мм

Страна происхождения

Japan