Renesas Electronics R1LV5256ESP-5SI#B0 SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
256Кбит
Организация
32К слов x 8 бит
Количество слов
32K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
15бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOP
Число контактов
28
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
256Кбит
Организация
32К слов x 8 бит
Количество слов
32K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
15бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOP
Число контактов
28
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.