Renesas Electronics R1LV3216RSA-5SI#B1 SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
32Мбит
Организация
2M слов x 16 бит, 4M слов x 8 бит
Количество слов
2M, 4M
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
20 bit, 21 bit
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Ширина
12.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.5мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
32Мбит
Организация
2M слов x 16 бит, 4M слов x 8 бит
Количество слов
2M, 4M
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
20 bit, 21 bit
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Ширина
12.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.5мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.