SRAM, 16Mbit, 1Mx16, 3V, ECC, 45ns
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
16Мбит
Организация
1М x 16 бит
Количество слов
1M
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
20бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
FBGA
Число контактов
48
Размеры
8 x 9.5 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
9.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
8мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
16Мбит
Организация
1М x 16 бит
Количество слов
1M
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
20бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
FBGA
Число контактов
48
Размеры
8 x 9.5 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
9.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
8мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LV Series, Renesas Electronics
The R1LV Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.