Renesas Electronics R1LV0816ASB-5SI#B0 SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
8Мбит
Организация
512К слов x 16 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Ширина
10.26мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,4 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 49 | P.O.A. |
| 50 - 99 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
8Мбит
Организация
512К слов x 16 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Ширина
10.26мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,4 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
Japan