Renesas Electronics R1LP5256ESA-5SI#B1 SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
256Кбит
Организация
32К слов x 8 бит
Количество слов
32k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
15бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
28
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
1мм
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LP Series, Renesas Electronics
The R1LP Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
256Кбит
Организация
32К слов x 8 бит
Количество слов
32k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
15бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
28
Размеры
11.9 x 8.1 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
1мм
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Информация о товаре
Low Power SRAM, R1LP Series, Renesas Electronics
The R1LP Series of advanced low voltage static RAMs is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.