Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
4MB
Тип продукции
SRAM
Организация
256k x 16
Количество слов
256K
Количество бит на слово
16
Максимальное время произвольного доступа
15ns
Минимальное напряжение питания
3.3V
Тип синхронизации
Несинхронный
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
3.3V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOJ-44
Минимальная рабочая температура
-40°C
Число контактов
48
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
10.16 mm
Материал каски/сварочной маски
1мм
Длина
18.41мм
Стандарты/одобрения
JEDEC Center Power/GND pinout
Серия
IDT71V416
Ток питания
180mA
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tray of 135) (ex VAT)
135
P.O.A.
Each (In a Tray of 135) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
135
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
4MB
Тип продукции
SRAM
Организация
256k x 16
Количество слов
256K
Количество бит на слово
16
Максимальное время произвольного доступа
15ns
Минимальное напряжение питания
3.3V
Тип синхронизации
Несинхронный
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
3.3V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOJ-44
Минимальная рабочая температура
-40°C
Число контактов
48
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
10.16 mm
Материал каски/сварочной маски
1мм
Длина
18.41мм
Стандарты/одобрения
JEDEC Center Power/GND pinout
Серия
IDT71V416
Ток питания
180mA
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
