MOSFET P-Ch 12V 4A 30mOhm SMini3-G1-B
Техническая документация
Характеристики
Brand
PanasonicТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Серия
MTM
Тип корпуса
Smini3-G1-B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Высота
0.8мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 50 | P.O.A. |
| 100 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 700 | P.O.A. |
| 750 - 950 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
PanasonicТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Серия
MTM
Тип корпуса
Smini3-G1-B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Высота
0.8мм
Информация о товаре