ON Semiconductor VEC2616-TL-W MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А, 3 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-28FL, VEC8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
116 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
2.3мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.73мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А, 3 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-28FL, VEC8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
116 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
2.3мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.73мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.