ON Semiconductor VEC2315-TL-W MOSFET

Код товара RS: 121-7891Бренд: onsemiПарт-номер производителя: VEC2315-TL-W
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-28FL, VEC8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

194 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

2.3мм

Длина

2.9мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.73мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor VEC2315-TL-W MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor VEC2315-TL-W MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-28FL, VEC8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

194 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

2.3мм

Длина

2.9мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.73мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor